氣相沉積爐是利用了加熱離子體激勵或光輻射等方法，讓氣態的或者蒸汽狀態的化學物質發生反應，并以原子態沉積在適當的位置的襯底上。從而形成了所需要的固態薄膜或是涂層的過程。
氣相沉積爐反應室的壓力、氣體的流動速率、晶片的溫度等反應中間起的作用都是沉積參數的變化范圍，所以考慮到沉積薄膜中的變數、以及沉積速率決定著反應室的產出量，反應生成的膜不僅會沉積在晶片上，也會沉積在反應室的其他部件上，所以對反應室進行徹底清洗的程度也是重要。
氣相沉積爐是傳統的制備薄膜的技術，它的原理就是利用氣態的先驅反應物，通過原子、分子間的化學反應，在晶片上形成薄膜。氣相沉積能夠生產出具備高質量高純度以及高強度等優點的材料，因此在半導體行業很受歡迎。
